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J-GLOBAL ID：201502207152478308   Reference number：15A0603017

Sub-nanoscale Structure and Barrier Performance of CVD-Cu(Mn)/ALD-Co(W) Interconnect System Proved Using 3D Atom Probe

CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価

Author (10)： SHIMA KOHEI (東大 大学院工学系研究科) ,  TU Yuan (東北大 金属材料研) ,  HAN Bin (東北大 金属材料研) ,  TAKAMIZAWA HISASHI (東北大 金属材料研) ,  SHIMIZU HIDEHARU (東大 大学院工学系研究科) ,  SHIMIZU YASUO (東北大 金属材料研) ,  MOMOSE TAKESHI (東大 大学院工学系研究科) ,  INOUE KOJI (東北大 金属材料研) ,  NAGAI YASUYOSHI (東北大 金属材料研) ,  SHIMOGAKI YUKIHIRO (東大 大学院工学系研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 469(SDM2014 162-169)  Page： 39-44  Publication year： Feb. 23, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wiring ,  manganese additive alloy ,  *layer ,  cobalt base alloy ,  tungsten additive alloy ,  atom-probe FIM ,  chemical vapor deposition ,  lower layer ,  segregation (concentration distribution) ,  dopant segregation ,  three-dimensional atom probe
Semi thesaurus term： atomic layer deposition ,  *copper interconnect ,  Co alloy ,  manganese additive alloy ,  tungsten additive alloy ,  seed-layer ,  *barrier layer

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Surface structure of metals  (BK15020P)

Reference (16)：

• The International Technology Roadmap for Semiconductors, Interconnect, 2013.
• R. Rosenberg, D. C. Edelstein, C.-K. Hu, and K. P. Rodbell, "Copper Metallization for High Performance Silicon Technology," Annu. Rev. Mater. Sci., vol. 30, pp.229-262, August, 2000.
• H. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nogami, N. Tajima, T. Momose, Y. Kobayashi, and Y. Shimogaki, "CVD and ALD Co(W) Films Using Amidinato Precursors as a Single-Layered Barrier/Liner for Next-Generation Cu-Interconnects," ECS J. Solid State Sci. Technol., vol. 2, no. 7, pp. P311-P315, May, 2013.
• H. Shimizu, A. Kumamoto, K. Shima, Y. Kobayashi, T. Momose, T. Nogami, and Y. Shimogaki, "Self-Assembled Nano-Stuffing Structure in CVD and ALD Co(W) Films as a Single-Layered Barrier/Liner for Future Cu-Interconnects," ECS J. Solid State Sci. Technol., vol. 2, no. 11, pp. P471-P477, September, 2013.
• K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, and Y. Shimogaki, "Study on the Adhesion Strength of CVD-Cu Films with ALD-Co(W) Underlayers made Using Amidinato Precursors," ECS J. Solid State Sci. Technol., vol. 4, no. 2, pp. P20-P29, November, 2014.

Terms in the title (11)： CVD ,  ALD ,  Cu ,  Mn ,  CO ,  構築 ,  3次元アトムプローブ ,  サブ ,  ナノ構造 ,  バリヤ ,  評価