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J-GLOBAL ID：201503008693789226

窒化物半導体構造及びその作製方法

Inventor： 小林 康之 ,  熊倉 一英 ,  赤坂 哲也 ,  牧本 俊樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013532451
Patent number：5679494
Application date： Sep. 05, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】(0001)六方晶窒化ホウ素薄膜と、 前記六方晶窒化ホウ素薄膜上のウルツ鉱型AlxGa1-xN(x>0)薄膜と、 前記ウルツ鉱型AlxGa1-xN(x>0)薄膜上のウルツ鉱型AlGaInBN薄膜と を備えることを特徴とする窒化物半導体構造。

IPC (5)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 186 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• イオンビームスパツタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225658   Applicant：株式会社リコー
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-313546   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-003254   Applicant：タマティーエルオー株式会社
• 機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-166407   Applicant：富士フイルムホールディングス株式会社
• 半導体材料とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-225702   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構