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J-GLOBAL ID：201503089185882687

窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法

Inventor：
福山 博之

About 福山 博之

, 
三宅 秀人

About 三宅 秀人


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学

, 
国立大学法人三重大学

About 国立大学法人三重大学


Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013174057
Publication number (International publication number)：2015042598
Application date： Aug. 26, 2013
Publication date： Mar. 05, 2015
Summary：
【課題】サファイア基板の溝加工など煩雑な処理を施さなくても、現在用いられているMOCVD法の成長条件を用いて、AlN膜の結晶性を飛躍的に向上させることが可能となり、高効率のLEDやLDデバイスを作製することができる、窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板、炭化ケイ素(SiC)基板、または窒化アルミニウム(AlN)基板上に、膜厚100〜1000nmの窒化アルミニウム(AlN)膜を形成した後、1500°C以上の高温で熱処理する。熱処理は、窒素/一酸化炭素(N2/CO)混合ガス中で行うことが好ましい。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
サファイア基板、炭化ケイ素(SiC)基板、または窒化アルミニウム(AlN)基板上に、膜厚100〜1000nmの窒化アルミニウム(AlN)膜を形成した後、1500°C以上の高温で熱処理して形成されたことを特徴とするAlN膜を有する基板。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/38 C ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205
F-Term (33)：
4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE13 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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