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J-GLOBAL ID：201503096659128187

β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体

Inventor： 後藤 健 ,  佐々木 公平 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立大学法人東京農工大学
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014088589
Publication number (International publication number)：2015091740
Application date： Apr. 22, 2014
Publication date： May. 14, 2015
Summary：

【課題】高品質かつ大口径のβ-Ga2O3系単結晶膜を効率的に成長させることのできるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及びその成長方法により成長したβ-Ga2O3系単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、Ga2O3系基板10を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、Ga2O3系基板10の主面11上にβ-Ga2O3系単結晶膜12を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法を提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、 Ga2O3系基板を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、前記Ga2O3系基板の主面上にβ-Ga2O3系単結晶膜を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/365

FI (3)：

C30B29/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/365

F-Term (41)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-245423   Applicant：ナノガンリミテッド
• 三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2011060892   Applicant：国立大学法人東京農工大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Ga2O3の気相エピタキシャル成長