β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014088589
Publication number (International publication number)：2015091740
Application date： Apr. 22, 2014
Publication date： May. 14, 2015
Summary：

【課題】高品質かつ大口径のβ-Ga2O3系単結晶膜を効率的に成長させることのできるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及びその成長方法により成長したβ-Ga2O3系単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、Ga2O3系基板10を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、Ga2O3系基板10の主面11上にβ-Ga2O3系単結晶膜12を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法を提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、 Ga2O3系基板を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、前記Ga2O3系基板の主面上にβ-Ga2O3系単結晶膜を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/16 , C30B 25/20 , H01L 21/365

FI (3)：

C30B29/16 , C30B25/20 , H01L21/365

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB10 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077EA01 , 4G077EA06 , 4G077EA07 , 4G077EB06 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB04 , 4G077TC01 , 4G077TC03 , 4G077TC05 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 5F045AA02 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC11 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE29 , 5F045AF01 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045DP04 , 5F045DQ08 , 5F045EK06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-245423 Applicant：ナノガンリミテッド
三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2011060892 Applicant：国立大学法人東京農工大学

Cited by examiner (2)

高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-245423 Applicant：ナノガンリミテッド
三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2011060892 Applicant：国立大学法人東京農工大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Ga2O3の気相エピタキシャル成長

Cited by examiner (1)

Ga2O3の気相エピタキシャル成長

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