半導体圧力センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：伊藤正和 , 細川覚 , 松本隆芳 , 森太士
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010279314
Publication number (International publication number)：2012127793
Patent number：5853169
Application date： Dec. 15, 2010
Publication date： Jul. 05, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体基板の一部が薄肉化されて受圧部となる、平面視で矩形状のダイヤフラム部と、前記ダイヤフラム部に形成された第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子と、絶縁体薄膜層を介して前記第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子のそれぞれの上に形成され、導電性を有し、平面視で矩形状の第1,第2,第3,第4のシールド薄膜層と、を有し、前記第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサにおいて、前記ホイートストンブリッジ回路の高位電源に接続された各ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層は、互いに電気的に接続され、前記ホイートストンブリッジ回路の低位電源に接続された各ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層は、互いに電気的に接続され、前記第1,第2,第3,第4のシールド薄膜層は、平面視で、前記半導体基板の領域におけるダイヤフラム部の領域にのみ形成され、前記第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子は、平面視で、前記半導体基板の領域におけるダイヤフラム部の領域にのみ形成され、前記第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子は、前記ダイヤフラム部の各辺の中央部の近傍にそれぞれ配置され、前記第1,第2,第3,第4のピエゾ抵抗素子の両端に接続された拡散配線は、それぞれ、前記ダイヤフラム部の同じ辺と交差して、ダイヤフラム部の領域外へと延設されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/00 ( 200 6.01) , H01L 29/84 ( 200 6.01)

FI (3)：

G01L 9/00 303 Q , H01L 29/84 B , H01L 29/84 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特公平2-041183
加速度センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-030161 Applicant：トレックス・セミコンダクター株式会社
半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-228783 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (6)

歪検出センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321793 Applicant：株式会社日立製作所
加速度センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-030161 Applicant：トレックス・セミコンダクター株式会社
特公平2-041183

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