ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及びワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：牧野琢磨
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012168032
Publication number (International publication number)：2014027193
Patent number：6023497
Application date： Jul. 30, 2012
Publication date： Feb. 06, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】板状のワイドギャップ半導体または測定に用いる単色光に対し透光性を有する基板に形成されたワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法であって、前記ワイドギャップ半導体の表面に接触し、ショットキー電極として作用する第1電極と、擬似的オーミック電極として作用する第2電極と、を形成する水銀プローブを用意し、前記水銀プローブは、バンドギャップ電子物性を測定する複数の測定箇所にドット状に形成された複数個の第1電極をそれぞれ形成し、各第1電極をそれぞれ取り囲むように前記ワイドギャップ半導体の表面全面に前記第2電極を一体的に形成したものであり、前記水銀プローブにより、前記ワイドギャップ半導体にパルス電圧を印加し、前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップ内準位に電荷注入を行い、前記ワイドギャップ半導体に対し、前記水銀プローブが接触する面の反対側の面から、光励起を生じさせる波長及び強度の単色光を照射し、前記パルス電圧印加後の単色光照射環境下でのインピーダンスを測定し、このインピーダンスに基づいて、照射した前記単色光の波長と、キャパシタンス又はコンダクタンスの変化率との対応関係により前記ワイドギャップ半導体の複数箇所のバンドギャップ電子物性を同時に評価することを特徴とするワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法。

IPC (1)：

H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/66 L , H01L 21/66 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-233602 Applicant：学校法人中部大学, 独立行政法人物質・材料研究機構
半導体測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-177445 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭63-140544

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