結晶性酸化物半導体膜および半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016078494
Publication number (International publication number)：2016201540
Application date： Apr. 08, 2016
Publication date： Dec. 01, 2016
Summary：

【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】結晶基板の主面が、a面、m面またはr面であって、主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層して、電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を得る。そして、得られた電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を半導体装置に用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、主面が、a面、m面またはr面であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。

IPC (4)：

H01L 21/365 , H01L 29/786 , C23C 16/40 , C30B 29/22

FI (6)：

H01L21/365 , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 618F , C23C16/40 , C30B29/22 Z

F-Term (61)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB10 , 4G077BC60 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077HA12 , 4G077TC02 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AE29 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045DP07 , 5F045DQ06 , 5F045EE02 , 5F045EK06 , 5F110AA01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-164748 Applicant：公立大学法人高知工科大学
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-144016 Applicant：株式会社FLOSFIA
半導体装置および結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-218891 Applicant：ROCA株式会社