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J-GLOBAL ID：201603017451506677

ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

Inventor： 角田 功 ,  高倉 健一郎 ,  本山 慎一 ,  楠田 豊 ,  古田 真浩
Applicant, Patent owner： 独立行政法人国立高等専門学校機構 ,  サムコ株式会社
Agent (1)： 特許業務法人京都国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014144759
Publication number (International publication number)：2016021503
Application date： Jul. 15, 2014
Publication date： Feb. 04, 2016
Summary：

【課題】フレキシブル基板上の所望の箇所に、容易に結晶ゲルマニウム層を形成する。【解決手段】ゲルマニウム層付き基板100の製造方法において、基板10上に非晶質のゲルマニウム層30を形成する工程と、前記形成したゲルマニウム層30上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層40を形成する工程と、結晶化誘起金属層40上に、結晶化誘起金属層40に応力を印加する応力印加層50を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

a) 基板上に非晶質のゲルマニウム層を形成する工程と、 b) 前記形成したゲルマニウム層上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層を形成する工程と、 c) 前記結晶化誘起金属層上に、前記結晶化誘起金属層に応力を印加する応力印加層を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程と、 を含むことを特徴とするゲルマニウム層付き基板の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/08 ,  C23C 16/22 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (6)：

H01L21/20 ,  C30B29/08 ,  C23C16/22 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 S

F-Term (60)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC41 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DA11 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077FE10 ,  4G077FE19 ,  4G077FJ06 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA12 ,  4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB05 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045HA16 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103PP03 ,  5F103PP15 ,  5F103RR08 ,  5F152AA02 ,  5F152AA20 ,  5F152BB06 ,  5F152CC04 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CE06 ,  5F152CE16 ,  5F152CF06 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152CF24 ,  5F152DD06 ,  5F152FF21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-351808   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-168923   Applicant：富士通株式会社
• 選択型シリサイド薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091843   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-104391   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-077922   Applicant：国立大学法人広島大学

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-351808   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-168923   Applicant：富士通株式会社
• 選択型シリサイド薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091843   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-104391   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-077922   Applicant：国立大学法人広島大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral grow

Cited by examiner (1)

• Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral grow