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J-GLOBAL ID：201603020585210279

相変化メモリおよび半導体記録再生装置

Inventor： 添谷 進 ,  小高 貴浩 ,  新谷 俊通 ,  富永 淳二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013048050
Publication number (International publication number)：2014175528
Patent number：6014521
Application date： Mar. 11, 2013
Publication date： Sep. 22, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を備え、 前記記録再生膜は、 SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、 SnSbTe合金相と、 Te相と、 を含む、相変化メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 45/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 相変化メモリ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-501791   Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
• 薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-155150   Applicant：三星電子株式会社
• 選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-004946   Applicant：三星電子株式会社
• 固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-140592   Applicant：エルピーダメモリ株式会社
• 超格子デバイス及びその製造方法、並びに、超格子デバイスを含む固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-113994   Applicant：エルピーダメモリ株式会社
• 固体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-225978   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Effect of interfacial oxide layer on the switching uniformity of Ge2Sb2Te5-based resistive change me