中性子検出装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：野河信太郎 , 甲斐伸二 , 金子裕輔 , 稲本潔
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011190790
Publication number (International publication number)：2013053870
Patent number：5846574
Application date： Sep. 01, 2011
Publication date： Mar. 21, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 1つの中性子と中性子検出用物質との核反応によって熱エネルギーを伴って生成され、異なる方向へ放射される少なくとも2つの粒子のうち、一の粒子の前記熱エネルギーを受容した場合に電子状態の変化が生じる第1粒子検出素子を複数個並列に配置してなるX座標検出素子群と、他の粒子の前記熱エネルギーを受容した場合に電子状態の変化が生じる第2粒子検出素子を複数個並列に配置してなるY座標検出素子群とを備え、各第1粒子検出素子は縦方向へ長く伸びる領域を有する超伝導物質であり、前記X座標検出素子群はそれらの第1粒子検出素子が横方向に並び、何れの第1粒子検出素子が前記一の粒子に係る電子状態の変化を検出したかに基づいて前記核反応がおこった位置のX座標を検出し、各第2粒子検出素子は、横方向へ長く伸びる領域を有する超伝導物質であり、前記Y座標検出素子群はそれらの第2粒子検出素子が縦方向に並び、何れの第2粒子検出素子が前記他の粒子に係る電子状態の変化を検出したかに基づいて前記核反応がおこった位置のY座標を検出し、各第1粒子検出素子は、前記第1粒子の熱エネルギーの受容によって超伝導電子対が減少する電子状態の変化を運動インダクタンスの変化として検出し、各第2粒子検出素子は、前記第2粒子の熱エネルギーの受容によって超伝導電子対が減少する電子状態の変化を運動インダクタンスの変化として検出することを特徴とする中性子検出装置。

IPC (3)：

G01T 3/06 ( 200 6.01) , G01T 3/04 ( 200 6.01) , G01T 1/26 ( 200 6.01)

FI (3)：

G01T 3/06 , G01T 3/04 , G01T 1/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

中性子検出装置及びその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-320605 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 公立大学法人大阪府立大学, 独立行政法人日本原子力研究開発機構
低温中性子イメージ検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-007510 Applicant：独立行政法人日本原子力研究開発機構
特開昭59-048671

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

MgB2中性子検出器の基礎実験と応用可能性の検討
蔡兆伸

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