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J-GLOBAL ID：201702278746554793   Reference number：17A1138670

プラズマCVD成膜したSiO₂/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性

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Author (12)： TERASHIMA DAIKI (大阪大 大学院) ,  WATANABE KENTA (大阪大 大学院) ,  YAMADA TAKAHIRO (大阪大 大学院) ,  NOZAKI MIKITO (大阪大 大学院) ,  SHIH Hongan (パナソニック) ,  NAKAZAWA SATOSHI (パナソニック) ,  ANDA YOSHIHARU (パナソニック) ,  UEDA TETSUZO (パナソニック) ,  YOSHIGOE AKITAKA (日本原子力研究開発機構) ,  HOSOI TAKUJI (大阪大 大学院) ,  SHIMURA TAKAYOSHI (大阪大 大学院) ,  WATANABE HEIJI (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-C17-5  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,  *thin film growth ,  *silicon dioxide ,  *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  *interface (surface) ,  *characteristic ,  *temperature dependence ,  dispersion ,  capacitance-voltage characteristic ,  thin film condenser ,  plasma ,  thermal oxidation ,  frequency dispersion ,  RF plasma ,  surface oxidation ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *AlGaN ,  surface characteristics ,  MOS capacitor

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： プラズマCVD ,  成膜 ,  SiO2 ,  AlGaN ,  界面特性 ,  温度依存性