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J-GLOBAL ID：201003070052885129

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 鈴木 純 ,  中川 博
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008289773
Publication number (International publication number)：2010118443
Application date： Nov. 12, 2008
Publication date： May. 27, 2010
Summary：

【課題】微細化に対応でき、High-kゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板101と、p型層103上に設けられた第1のゲート絶縁膜115、TiNからなる第1のゲート電極116と、及び不純物を含む半導体からなる第1の上部ゲート電極117を有するNチャネル型MOSトランジスタ106と、n型層102上に設けられた第2のゲート絶縁膜109、TiN結晶からなり、(111)配向/(200)配向が1.5以上となるTiN層を少なくとも一部に含む第2のゲート電極110、及び不純物を含む半導体からなる第2の上部ゲート電極111を有するPチャネル型MOSトランジスタ105とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

上部にp型層とn型層が設けられた半導体基板と、 前記p型層上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に設けられ、TiNからなる第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に設けられ、不純物を含む半導体からなる第1の上部ゲート電極とを有するNチャネル型MOSトランジスタと、 前記n型層上に設けられた第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に設けられ、TiN結晶からなり、(111)配向/(200)配向が1.5以上となるTiN層を少なくとも一部に含む第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極上に設けられ、不純物を含む半導体からなる第2の上部ゲート電極とを有するPチャネル型MOSトランジスタとを備えている半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (7)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/285 C ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G

F-Term (66)：

4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AB03 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF10 ,  5F140BF14 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BF29 ,  5F140BF33 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• トランジスタ、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-238994   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

Cited by examiner (9)

• CMOS半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-041889   Applicant：三星電子株式会社
• トランジスタ、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-238994   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-329521   Applicant：株式会社東芝
• 2つの仕事関数を備えたCMOSデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-002367   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-237209   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-089956   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-333958   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, 沖電気工業株式会社
• MOS型半導体装置の製造方法およびMOS型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-350934   Applicant：株式会社半導体理工学研究センター
• 金属ゲート電極及びポリゲート電極を有する高性能回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-343832   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション