半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013067937
Publication number (International publication number)：2014192411
Patent number：6172658
Application date： Mar. 28, 2013
Publication date： Oct. 06, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】成長基板上に、n型層、発光層およびp型層を成長させる成長工程と、チャネリング条件下においてp型層の表面からn型層に到達する範囲にn型不純物としてシリコンをイオン注入するチャネリング工程と、前記チャネリング工程によりn型不純物としてシリコンイオンが注入された領域を、アンモニアを含む雰囲気中でアニールすることによりn型化するアニール工程と、前記アニール工程によりn型化された領域の表面にn側電極を接続するn側電極構成工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L 33/02 ( 201 0.01)

FI (1)：

H01L 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-104327 Applicant：株式会社東芝
半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-350551 Applicant：ソニー株式会社
特公昭48-036981

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Cited by examiner (9)

半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-104327 Applicant：株式会社東芝
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特公昭48-036981

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