多層構成の薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにアクティブマトリクス駆動ディスプレイ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015126796
Publication number (International publication number)：2017011173
Application date： Jun. 24, 2015
Publication date： Jan. 12, 2017
Summary：

【課題】アクティブマトリクス駆動ディスプレイのピクセル毎のスイッチング素子等に好適な、小さな専有面積と優れたトランジスタ特性とを両立した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】同一構成の薄膜トランジスタを、層間絶縁膜を介して基板上に順次形成していくことにより、3個以上の薄膜トランジスタが基板上に垂直方向に一体的に積層された多層構成の薄膜トランジスタが得られる。当該素子の上側からゲート電極、ソース電極及びドレイン電極用の導電体をそれぞれ基板に向かって伸ばすことで、各薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を共通接続した端子を素子上部に設ける。これにより、見掛け上の移動度の大きな薄膜トランジスタが得られるので、小専有面積で大電流を出力できる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に、前記基板に垂直方向に層間絶縁層を介して一体的に積層された3個以上の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に夫々接続されるゲート電極端子、ソース電極端子及びドレイン電極端子とを設けた、多層構成の薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G09F 9/30

FI (8)：

H01L29/78 626Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 613Z , H01L29/78 616S , H01L29/78 617N , H01L29/78 617K , G09F9/30 338

F-Term (72)：

5C094AA15 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE27 , 5F110EE36 , 5F110EE37 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM17 , 5F110HM19 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN40 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体素子、半導体装置及び半導体素子の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-204926 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-259580 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
3端子型電子デバイス及び2端子型電子デバイス
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