電気めっき方法及び電気めっき装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (8)：蔵田昌俊 , 野河信久 , 峰隆司 , 河野直樹 , 砂川克 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015054850
Publication number (International publication number)：2016176088
Application date： Mar. 18, 2015
Publication date： Oct. 06, 2016
Summary：

【課題】陰極の電流密度が高電流密度であっても被めっき膜の膜厚分布が小さく、めっきの成膜速度を大幅に高めること。【解決手段】実施形態の電気メッキ方法によれば、反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる前記超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加することを特徴とする電気めっき方法。

IPC (2)：

C25D 21/12 , C25D 5/00

FI (2)：

C25D21/12 A , C25D5/00

F-Term (12)：

4K024AA09 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA16 , 4K024CB05 , 4K024CB06 , 4K024CB11 , 4K024DA03 , 4K024GA02 , 4K024GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

多孔性金属薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-249623 Applicant：国立大学法人東京農工大学
めっき装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-101744 Applicant：富士通セミコンダクター株式会社
表面処理装置及び表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-252860 Applicant：株式会社デンソー

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Charateristics of a Nickel Film Electroplated on a Copper Substrate in Supercritical CO2"

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