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J-GLOBAL ID：201703015780114270
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014255292
Publication number (International publication number)：2015084440
Patent number：6070680
Application date： Dec. 17, 2014
Publication date： Apr. 30, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 半導体基板に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の一方側に形成されたソース側エクステンション領域と、
前記チャネル領域の他方側に形成されたドレイン側エクステンション領域と、
前記ソース側エクステンション領域を介して前記チャネル領域の一方側に形成されたソース領域と、
前記ドレイン側エクステンション領域を介して前記チャネル領域の他方側に形成されたドレイン領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内で、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方の下部から、前記ゲート電極の下方まで延在して形成されている応力導入層と、を有し、
前記ソース側エクステンション領域及び前記ドレイン側エクステンション領域が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方から、前記ゲート電極の下方まで延在して形成され、
前記チャネル領域と前記ソース領域とのpn接合境界と、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのpn接合境界の間に、前記ソース領域側の応力分布のピークと前記ドレイン領域側の応力分布のピークが位置し、
前記ソース領域側の応力分布のピークが、動作電圧の印加時の電位分布のピークと重なる
半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 N
, H01L 21/90 K
Cited by examiner (6)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-072949
Applicant：株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-050158
Applicant：松下電器産業株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-153948
Applicant：株式会社東芝
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