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J-GLOBAL ID：201802240590217196   Reference number：18A0917660

Control of Ga-oxide interlayer growth and Ga diffusion in SiO₂/GaN stacks for high-quality GaN-based metal-oxide-semiconductor devices with improved gate dielectric reliability

ゲート誘電体信頼性を改善した高品質GaNベース金属-酸化物-半導体デバイスのためのSiO₂/GaNスタックにおけるGa酸化物層間成長とGa拡散の制御

Author (12)： YAMADA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Mikito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Hisashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  YAMADA Hisashi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Tokio (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 015701.1-015701.4  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gate dielectric film ,  *reliability (property) ,  quality ,  *gallium nitride ,  *MOSFET ,  silicon dioxide ,  *gallium oxide ,  Gallium ,  Diffusion ,  plasma CVD ,  state density ,  hysteresis ,  condenser (capacitor) ,  annealing (heat treatment) ,  dielectric strength ,  characteristic ,  layer ,  interface state density ,  atomic diffusion ,  high quality ,  interlayer
Semi thesaurus term： annealing treatment ,  capacitor ,  device characteristic ,  *high reliability ,  dielectric fracture strength

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (30)：

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• T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inagaki, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1828 (2003).
• P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
• E. Kim, N. Soejima, Y. Watanabe, M. Ishiko, and T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 04DF08, (2010).

Terms in the title (12)： ゲート誘電体 ,  高品質 ,  GaN ,  ベース金属 ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  SiO2 ,  スタック ,  Ga酸化物 ,  成長 ,  Ga ,  拡散