GaN結晶の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：川口嘉之 , 高田大輔 , 佐貫伸一 , 丹羽武司 , 下田俊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017045195
Publication number (International publication number)：2018052797
Application date： Mar. 09, 2017
Publication date： Apr. 05, 2018
Summary：

【課題】GaN種結晶上にGaN結晶を化学気相成長させる工程において、1100°C以上の成長温度を用いたときでも、歩留りが低下することのないGaN結晶製造方法を提供すること。【解決手段】GaN結晶製造方法は、金属GaとCl2の反応により気体塩化ガリウムを生成させ、該気体塩化ガリウムを不活性ガスからなるキャリアガスを用いてGaN種結晶上に供給するとともにNH3と反応させ、1100°C以上の成長温度で該GaN種結晶上にGaN結晶を成長させる気相成長工程を含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

金属GaとCl2の反応により気体塩化ガリウムを生成させ、該気体塩化ガリウムを不活性ガスからなるキャリアガスを用いてGaN種結晶上に供給するとともにNH3と反応させ、1100°C以上の成長温度で該GaN種結晶上にGaN結晶を成長させる気相成長工程を含む、GaN結晶製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/205

F-Term (52)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA01 , 4G077ED02 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TH01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC00 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA01 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ08 , 5F045DQ10 , 5F045EK26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法および周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-061526 Applicant：三菱化学株式会社
III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-300459 Applicant：住友電気工業株式会社
GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-156717 Applicant：住友電気工業株式会社

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