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J-GLOBAL ID:201803004507126082
ステージ式のプラズマエッチング装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人 武和国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2014035553
Publication number (International publication number):2014212303
Patent number:6288702
Application date: Feb. 26, 2014
Publication date: Nov. 13, 2014
Claim (excerpt):
【請求項1】 ウェハが設置されるステージと、
このステージを覆うチャンバと、
このチャンバ内を真空引きする真空引き部と、
前記チャンバの前記ステージに対向する位置に設けられエッチングガスをウェハに吹き付けるための管状のガス供給部と、
前記ガス供給部の先端側の内部に取り付けられ、このガス供給部から供給されるエッチングガスを前記ウェハへ均等に吹き付けさせるノズルと、
前記ガス供給部に取り付けられこのガス供給部内のエッチングガス中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させるノズルプラズマ発生部と、
前記ステージに設けられ、このステージに設置されるウェハを含む領域にプラズマを発生させてエッチングガスをイオン化およびラジカル化させるステージプラズマ発生部と、を具備し、
前記ステージは、前記ガス供給部から吹き出すマイクロプラズマが当たらない間隔を空けて前記チャンバ内に取り付けられている
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2):
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (2):
H01L 21/302 101 E
, H05H 1/46 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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プラズマエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-203853
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-080147
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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マイクロプラズマ生成装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-088070
Applicant:独立行政法人科学技術振興機構
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-268201
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-300868
Applicant:松下電器産業株式会社
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ウェーハの平坦化方法とその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-214794
Applicant:住友金属工業株式会社
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特開昭60-123033
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