トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塩田伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016507421
Patent number：6300214
Application date： Feb. 20, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1のP型領域及び第1のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第1のトンネル電界効果トランジスタと、第2のP型領域及び第2のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第2のトンネル電界効果トランジスタとが、同一極性で一つの活性領域に形成されるとともに前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが隣接するように形成され、隣接する前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが金属半導体合金膜により電気的に接続されており、前記金属半導体合金膜は、それぞれ半導体層の表面から一定の形成深さで形成され、対向配置される前記第1のP型領域と前記第2のN型領域との間を架け渡すように形成され、かつ、前記半導体層の表面位置から前記第1のP型領域及び前記第2のN型領域の前記形成深さと同じかこれよりも深い深さまで形成されていることを特徴とするトンネル電界効果トランジスタによる集積回路。

IPC (4)：

H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 27/088 D , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-214829 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-020745 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-002033 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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Cited by examiner (7)

半導体装置
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