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J-GLOBAL ID：201803008022367800

イリジウム又はイリジウム合金からなる金属線材

Inventor： 吉川 彰 ,  横田 有為 ,  中村 宗樹 ,  田中 邦弘 ,  仲沢 達也 ,  坂入 弘一
Applicant, Patent owner： 田中貴金属工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014068445
Publication number (International publication number)：2015190012
Patent number：6243275
Application date： Mar. 28, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 イリジウム又はイリジウム含有合金からなる金属線材であって、 長手方向の任意の断面における結晶粒数が0.25mm2当たり2〜20個であり、 更に、任意の部分のビッカース硬度が200Hv以上400Hv未満である金属線材。

IPC (4)：

C22C 5/04 ( 200 6.01) ,  C22C 1/02 ( 200 6.01) ,  B22D 11/00 ( 200 6.01) ,  C30B 15/08 ( 200 6.01)

FI (6)：

C22C 5/04 ,  C22C 1/02 501 A ,  C22C 1/02 503 A ,  B22D 11/00 D ,  B22D 11/00 G ,  C30B 15/08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• イリジウム又はイリジウム合金線材の引抜き加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251241   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• イリジウム又はイリジウム合金の加工方法及びその加工方法を用いる点火プラグ用電極部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-237901   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 内燃機関用プラグ電極材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-062106   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 単結晶育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-199189   Applicant：NECトーキン株式会社
• 単結晶および単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-340614   Applicant：日本碍子株式会社
• フッ化物単結晶、真空紫外発光素子、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-180615   Applicant：国立大学法人東北大学
• 単結晶引下げ方法及び引下げ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-095404   Applicant：TDK株式会社
• 自動ワイヤボンダ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262215   Applicant：田中電子工業株式会社

Cited by examiner (8)

• イリジウム又はイリジウム合金線材の引抜き加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251241   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• イリジウム又はイリジウム合金の加工方法及びその加工方法を用いる点火プラグ用電極部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-237901   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 内燃機関用プラグ電極材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-062106   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 単結晶育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-199189   Applicant：NECトーキン株式会社
• 単結晶および単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-340614   Applicant：日本碍子株式会社
• フッ化物単結晶、真空紫外発光素子、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-180615   Applicant：国立大学法人東北大学
• 単結晶引下げ方法及び引下げ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-095404   Applicant：TDK株式会社
• 自動ワイヤボンダ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262215   Applicant：田中電子工業株式会社