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J-GLOBAL ID：201803014121182048

高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造方法

Inventor：
鈴木 健太

About 鈴木 健太

, 
廣島 洋

About 廣島 洋


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

About 国立研究開発法人産業技術総合研究所


Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013220816
Publication number (International publication number)：2015082624
Patent number：6278383
Application date： Oct. 24, 2013
Publication date： Apr. 27, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 インプリント面に、デバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、少なくとも次の(1)〜(3)の工程を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。 (1)ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程 (2)前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び/又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程 (3)前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
IPC (3)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  B29C 59/02 ( 200 6.01) ,  G03F 9/00 ( 200 6.01)
FI (3)：
H01L 21/30 502 D ,  B29C 59/02 ZNM B ,  G03F 9/00 H
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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