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J-GLOBAL ID：201902228579097823   Reference number：19A1798782

Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source

Al薄膜ドーパント源によるp型4H-SiCへの低抵抗接触の形成

Author (5)： OKAMOTO Kento (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KIKUCHI Toshifumi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA Akihiro (Sojo Univ., Kumamoto, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SD  Page： SDDF13.1-SDDF13.4  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  *aluminum ,  dopant ,  metallic thin film ,  *contact resistance ,  *photodoping ,  *titanium ,  depth profile ,  electron microscopy ,  ratio ,  *metal-semiconductor junction
Semi thesaurus term： *laser doping ,  scanning electron microscopy ,  specific contact resistance

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Reference (22)：

• F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R. Lo Nigro, F. Giannazzo, F. Iucolano, and M. Saggio, Microelectron. Eng. 187-188, 66 (2018).
• M. Usman and M. Nawaz, Solid. State. Electron. 92, 5 (2014).
• A. Frazzetto, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, V. Raineri, and F. Roccaforte, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 255302 (2011).
• K. Ito, S. Tsukimoto, and M. Murakami, Sci. Technol. Adv. Mater. 7, 496 (2006).
• D. Bae, G. Ahn, C. Jeong, and K. Kim, Electr. Eng. 100, 2431 (2018).

Terms in the title (5)： Al ,  薄膜 ,  ドーパント ,  4H-SiC ,  低抵抗