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J-GLOBAL ID：201902248004643771   Reference number：19A0619307

新技術・新商品へのチャレンジ 新材料・新製品開発のための先端解析技術

Author (19)： SASAKI HIROKAZU (古河電気工業) ,  NISHIKUBO HIDEO (古河電気工業) ,  NISHIDA SHINSUKE (古河電気工業) ,  YAMAZAKI SATOSHI (古河電気工業) ,  NAKASAKI RYUSUKE (古河電気工業) ,  ISOMATSU TAKEMI (古河電気工業) ,  MINATO RYUICHIRO (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  KINUGAWA KOHEI (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  IMAMURA AKIHIRO (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  OTOMO SHIN'YA (古河電気工業) ,  HORI YUJIN (古河電気工業) ,  HIROSE KIYOSHIGE (古河電気工業) ,  ANADA SATOSHI (ファインセラミックスセ) ,  YAMAMOTO KAZUO (ファインセラミックスセ) ,  HIRAYAMA TSUKASA (ファインセラミックスセ) ,  YAMASAKI JUN (大阪大) ,  SHIBATA NAOYA (東大) ,  OBA YOJIRO (日本原子力研究開発機構) ,  ONUMA MASATO (北大)
Material： 古河電工時報(Web)
Issue： 138  Page： 2-10 (WEB ONLY)  Publication year： Feb. 2019 
JST Material Number： U0003A  ISSN： 1348-1789  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *product development ,  development ,  material ,  advanced technology ,  analysis ,  case study ,  surface analysis ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  small angle X-ray scattering ,  three dimension ,  scanning electron microscope ,  Holography ,  scanning transmisson electron microscope ,  *research and development
Semi thesaurus term： material development

JST classification (2)： Marketing  (KA06020W) ,  Research and development  (AA03000V)

Reference (22)：

• M. R. McCartney,D. J. Smith,R. Hull,J. C. Bean,E. Voelkl and B. Frost: “Direct observation of potential distribution across Si/Si p-n junctions using off-axis electron holography”, Appl.Phys. Lett.,65(1994),2603.
• W. D. Rau,P. Schwander,F. H. Baumann,W. Höppner,and A. Ourmazd: “Two-Dimensional Mapping of the Electrostatic Potential in Transistors by Electron Holography”,Phys. Rev. Lett.,82(1999),2614.
• Z. Wang,T. Hirayama,K. Sasaki,H. Saka and N. Kato: “Electron holographic characterization of electrostatic potential distributions in a transistor sample fabricated by focused ion beam”,Appl. Phys. Lett.,80(2002) ,246.
• H. Sasaki,K. Yamamoto,T. Hirayama,S. Ootomo,T. Matsuda,F. Iwase,R. Nakasaki and T. Ishii: “Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off axis phaseshifting electron holography”,Appl. Phys. Lett.,89 (2006),244101.
• 佐々木宏和,大友晋哉,湊龍一郎,吉田順自: “電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いた半導体レーザの解析”,古河電工時報,134(2015),33.

Terms in the title (4)： 商品 ,  新材料 ,  新製品開発 ,  解析