窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：新居広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017198914
Publication number (International publication number)：2019073402
Application date： Oct. 12, 2017
Publication date： May. 16, 2019
Summary：

【課題】III族極性と窒素極性の極性反転構造を有し、表面が平坦でかつ高品質の結晶層が形成された窒化物半導体基板等を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板1は、サファイア基板2の表面に、AlNで表わされる窒化アルミニウムの結晶粒の集合体からなる窒化アルミニウム結晶層3を有し、窒化アルミニウム結晶層3内に、III族極性と窒素極性との極性反転層構造をサファイア基板2の表面と平行方向に有する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

サファイア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム、シリコンの一つからなる基板の表面に、AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、(x+y)≦1)で表わされるIII族窒化物半導体の結晶粒の集合体からなるIII族窒化物半導体結晶層を有し、前記III族窒化物半導体結晶層内に、III族極性と窒素極性との極性反転層構造を前記基板の表面と平行方向に有する窒化物半導体基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 , C30B 33/06 , G02F 1/377

FI (3)：

C30B29/38 C , C30B33/06 , G02F1/377

F-Term (25)：

2K102AA08 , 2K102BA18 , 2K102BB02 , 2K102BC01 , 2K102CA28 , 2K102DA04 , 2K102DA20 , 2K102DD03 , 4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA11 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FF07 , 4G077HA02 , 4G077SA04 , 4G077SB01 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK06

Patent cited by the Patent：

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光導波路型光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-103665 Applicant：アルプス電気株式会社

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