成膜装置と半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019011157
Publication number (International publication number)：2020120034
Patent number：6879516
Application date： Jan. 25, 2019
Publication date： Aug. 06, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる成膜装置であって、前記基板を載置するステージと、前記基板を加熱するヒータと、溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、を有する成膜装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/208 ( 200 6.01) , C23C 16/448 ( 200 6.01) , C30B 29/16 ( 200 6.01) , C30B 25/14 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/208 Z , C23C 16/448 , C30B 29/16 , C30B 25/14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-265303 Applicant：株式会社フジクラ
循環式乾燥装置および循環式乾燥方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-040598 Applicant：三菱レイヨン株式会社
特開平1-095517

Show all

Cited by examiner (9)

成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-265303 Applicant：株式会社フジクラ
循環式乾燥装置および循環式乾燥方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-040598 Applicant：三菱レイヨン株式会社
特開平1-095517

Show all

Return to Previous Page