半導体装置とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020021850
Publication number (International publication number)：2021127262
Application date： Feb. 12, 2020
Publication date： Sep. 02, 2021
Summary：

【課題】直方晶系の半導体を好適に成長させる。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する。この製造方法によれば、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層と直方晶系の結晶構造を有する第2層を有する半導体装置を製造することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する、製造方法。

IPC (8)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , H01L 21/365 , H01L 29/24 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (6)：

C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/80 H

F-Term (51)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB01 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030JA10 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AF01 , 5F045CA01 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA67 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EE02 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB05 , 5F053BB58 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053RR20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GK01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-191609 Applicant：株式会社FLOSFIA
成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-134347 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都工芸繊維大学
基体、発光素子および基体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-221683 Applicant：国立大学法人京都工芸繊維大学

Show all

Return to Previous Page