成膜方法、及び、半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018134347
Publication number (International publication number)：2020011859
Application date： Jul. 17, 2018
Publication date： Jan. 23, 2020
Summary：

【課題】スズがドープされた酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することを実現する。【解決手段】スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法を提案する。この成膜方法は、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ(IV)・5水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する。この成膜方法によれば、ドナーとしてスズ(IV)を含む酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法であって、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ(IV)・5水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する成膜方法。

IPC (4)：

C30B 29/16 , C30B 25/00 , H01L 21/368 , H01L 21/365

FI (4)：

C30B29/16 , C30B25/00 , H01L21/368 Z , H01L21/365

F-Term (52)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077DB06 , 4G077DB11 , 4G077DB21 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EG21 , 4G077FC06 , 4G077GA01 , 4G077GA07 , 4G077GA10 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA11 , 4G077TB03 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TB07 , 4G077TB13 , 4G077TC02 , 4G077TC04 , 4G077TC06 , 4G077TE03 , 4G077TG04 , 5F045AB40 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053GG03 , 5F053HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

透明電極用基材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-101972 Applicant：株式会社フジクラ
透明導電性基板の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-132924 Applicant：株式会社フジクラ
結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-195871 Applicant：株式会社FLOSFIA

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