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J-GLOBAL ID：202203017725808800

ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法

Inventor： 野口 仁 ,  白井 省三 ,  山崎 聡 ,  竹内 大輔 ,  小倉 政彦 ,  牧野 俊晴 ,  加藤 宙光 ,  松本 翼 ,  川島 宏幸
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘 ,  大塚 徹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016021008
Publication number (International publication number)：2017034220
Patent number：7017299
Application date： Feb. 05, 2016
Publication date： Feb. 09, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ダイヤモンド電子素子であって、 シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、α-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、 前記シリコン基材と前記中間層との間に、金、白金、チタン、クロム、イリジウム、ロジウム、シリコンのいずれかからなる薄膜が1層以上形成されたものであり、 前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであり、 前記単結晶ダイヤモンド層は、ボロン不純物を導入したp型単結晶ダイヤモンド、リン不純物を導入したn型単結晶ダイヤモンド、不純物を導入しない高抵抗単結晶ダイヤモンドのいずれかから選択される単結晶ダイヤモンド層が2層以上積層されたものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (8)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01) ,  C23C 16/503 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01) ,  C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/503 ,  C30B 25/02 P ,  C30B 29/04 C ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-028811   Applicant：住友電気工業株式会社
• 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-230776   Applicant：信越化学工業株式会社
• ダイヤモンドの製造方法及び直流プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-174619   Applicant：信越化学工業株式会社
• 単結晶ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-194539   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 信越化学工業株式会社
• 特開平3-278474
  
• 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-264261   Applicant：信越化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製