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J-GLOBAL ID：202303020240614428

半導体装置とその製造方法

Inventor： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020021850
Publication number (International publication number)：2021127262
Patent number：7315927
Application date： Feb. 12, 2020
Publication date： Sep. 02, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体装置の製造方法であって、 ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する、 製造方法。

IPC (9)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (7)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 21/368 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 積層構造体および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2017-191609   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-134347   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都工芸繊維大学
• 基体、発光素子および基体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-221683   Applicant：国立大学法人京都工芸繊維大学
• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164748   Applicant：公立大学法人高知工科大学
• 酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-033503   Applicant：国立大学法人熊本大学