半導体装置とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：弁理士法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020021850
Publication number (International publication number)：2021127262
Patent number：7315927
Application date： Feb. 12, 2020
Publication date： Sep. 02, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0 IPC (9)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) , C30B 25/18 ( 200 6.01) , C23C 16/40 ( 200 6.01) , H01L 21/365 ( 200 6.01) , H01L 29/24 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (7)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , H01L 21/365 , H01L 29/24 , H01L 29/80 H , H01L 21/368 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-191609 Applicant：株式会社FLOSFIA
成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-134347 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都工芸繊維大学
基体、発光素子および基体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-221683 Applicant：国立大学法人京都工芸繊維大学

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Cited by examiner (5)

積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-191609 Applicant：株式会社FLOSFIA
成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-134347 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都工芸繊維大学
基体、発光素子および基体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-221683 Applicant：国立大学法人京都工芸繊維大学

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