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文献
J-GLOBAL ID：201202205938127075
整理番号：12A0587743 フロロカーボンイオン照射におけるSiNx:H膜中の水素の含有率の違いによるエッチング反応への影響
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伊藤智子
(大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ)
, 大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ について
唐橋一浩
(大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ)
, 大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ について
深沢正永
(ソニー)
, 辰巳哲也
(ソニー)
, 浜口智志
(大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ)
大阪大 大学院 原子分子イオン制御理工セ について
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) について
巻： 59th ページ： ROMBUNNO.17P-A7-12 発行年： 2012年02月29日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ケイ素
, 窒化ケイ素 について
表面反応
, 表面反応 について
脂肪族フッ素化合物
, 脂肪族フッ素化合物 について
イオン照射
, イオン照射 について
*プラズマエッチング
, プラズマエッチング について
水素
水素 について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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フロロカーボン
フロロカーボン について
分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般
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(NC03030V)
固体デバイス製造技術一般 について
物質索引 (1件)：
物質索引
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トリフルオロメチルカチオン
トリフルオロメチルカチオン について
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
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フロロカーボン
, フロロカーボン について
イオン照射
, イオン照射 について
水素
, 水素 について
含有率
, 含有率 について
エッチング反応
エッチング反応 について
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