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J-GLOBAL ID：201202268231959785   整理番号：12A0649283

極端紫外自由電子レーザーによるレジスト高分子へのエネルギー付与

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著者 (15件)： 及川敬太 ,  岡本一将 ,  古澤孝弘 ,  初井宇記 ,  永園充 ,  亀島敬 ,  富樫格 ,  登野健介 ,  矢橋牧名 ,  木村洋昭 ,  仙波泰徳 ,  大橋治彦 ,  石川哲也 ,  藤吉亮子 ,  住吉孝
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 92nd  号： 1  ページ： 78  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 極端紫外光(EUV)は次世代のリソグラフィプロセスにおいて有望な露光源である。高出力の露光源として期待されるEUV自由電子レーザー(波長~60nm:~20eV)を励起源としてレジストに照射を行い,エネルギー特性について調べた。現像後のレジスト膜厚を測定することにより感度曲線を求め,数十nmの極薄膜においてエネルギー付与された。また可視吸光度測定により求めた酸収率により,高密度イオン化が誘起されていることが示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *極端紫外線 ,  *自由電子レーザ ,  *エネルギー移動 ,  イオン対 ,  フォトリソグラフィー ,  *レーザ照射 ,  *化学増幅レジスト ,  電子線レジスト ,  紫外線照射 ,  膜厚 ,  照射線量 ,  線量率 ,  感度解析
準シソーラス用語： エネルギー付与

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極端紫外 ,  自由電子レーザー ,  レジスト ,  高分子 ,  エネルギー付与