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J-GLOBAL ID：201202281747251939   整理番号：12A1706551

革新的プラズマ科学の新潮流 プラズマ異方性化学気相堆積法による硬質カーボン薄膜の低温製膜

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著者 (5件)： 古閑一憲 (九大 大学院システム情報科学研究院) ,  白谷正治 (九大 大学院システム情報科学研究院) ,  節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  関根誠 (名古屋大 プラズマナノ工セ) ,  堀勝 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 63  号： 12  ページ： 908-912  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DLC薄膜や水素化アモルファス炭素薄膜は,その優れた特性から多くの分野で着目されている。水素原子源付プラズマCVD法を用いて,100°Cという低い基板温度において,トレンチ基板上への硬質カーボン膜の製膜形状制御に成功しており,下記事項などについて解説した。1)炭素薄膜における製膜形状制御と堆積膜の硬質化,2)水素原子源付プラズマCVD法装置とその概要,3)トレンチ構造へのカーボン膜異方性製膜の実現,4)カーボン薄膜の硬質化,a)製膜速度のアスペクト比依存性,b)膜密度のイオンエネルギー依存性,c)プラズマエッチング選択比の膜密度依存性,5)異方性プラズマCVD法のモデル図。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *薄膜 ,  *トレンチカット【加工】 ,  アスペクト比 ,  *依存性 ,  *被覆 ,  *異方性媒質 ,  形状制御 ,  *製膜 ,  プラズマエッチング ,  密度依存性 ,  イオンエネルギー ,  *炭素薄膜 ,  *プラズマCVDコーティング ,  硬質皮膜 ,  サーボ制御
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  *プラズマCVD被覆 ,  *プラズマ化学気相堆積 ,  硬質膜 ,  *異方性製膜

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ科学 ,  潮流 ,  プラズマ ,  異方性 ,  化学気相堆積 ,  カーボン薄膜 ,  低温 ,  製膜