Ge単結晶薄膜の製造方法及び光デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：岡田賢治 , 今下勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-231833
公開番号（公開出願番号）：特開2017-098493
出願日： 2015年11月27日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
要約：

【課題】Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るGe単結晶薄膜の製造方法は、薄い誘電体のLine&SpaceをSi基板上に形成し、その上にGeを成長させる。本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の貫通転位は、ライン・アンド・スペースとGe膜厚を調整することで1×105cm-2の貫通転位密度を達成でき、貫通転位を大幅に削減することができる。このため、本光デバイスはキャリアの再結合欠陥が低減するため、レーザであれば閾値電流を下げることができる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600°C以上900°C以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、を行うGe単結晶薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C30B 29/08 , C30B 25/04 , H01S 5/32 , G02F 1/015 , C23C 16/04

FI (7件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/08 , C30B25/04 , H01S5/32 , G02F1/015 501 , C23C16/04

Fターム (59件)：

2K102AA21 , 2K102BA02 , 2K102BB01 , 2K102BC04 , 2K102CA11 , 2K102CA28 , 2K102DD03 , 2K102EA02 , 4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077TB02 , 4G077TC03 , 4G077TC06 , 4G077TF01 , 4G077TJ12 , 4G077TK01 , 4K030AA05 , 4K030BA09 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5F045AA07 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB05 , 5F152LL03 , 5F152LN03 , 5F152LN32 , 5F152LN34 , 5F152LN35 , 5F152MM09 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ04 , 5F173AH40 , 5F173AP07 , 5F173AP19 , 5F173AP20 , 5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (2件)

光デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-156436 出願人：台湾積體電路製造股ふん有限公司
格子調整半導体基板の形成
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-533596 出願人：ユニバーシティーオブワーウィク

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る