炭化珪素半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053685
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168719
出願日： 2016年03月17日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】高温度の熱処理による炭化珪素基板の表面荒れを抑制することができ、プロセスを簡略化することができ、かつ設計の自由度が高い炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】炭化珪素基体10のおもて面側にイオン注入によりp型ベース領域3、n+型ソース領域5、p+型コンタクト領域6およびn型JFET領域7を形成する。次に、炭化珪素基体10のおもて面を熱酸化して熱酸化膜23を形成する。次に、炭化珪素基体10のおもて面を熱酸化膜23で覆った状態で1500°C以上の高温度の活性化アニールを行う。この活性化アニールは酸素ガス分圧を0.01気圧以上1気圧以下とした酸素を含むガス雰囲気31で行うため、熱酸化膜23の厚さt3’は減少せず、維持または増大する。この熱酸化膜23をゲート絶縁膜8とし、その後、熱酸化膜23上にゲート電極となるポリシリコン層を堆積してMOSゲート構造を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し、前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程と、前記導入工程の後、前記半導体基板のおもて面を厚さ1nm以上の酸化膜で覆う被覆工程と、前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で、酸素を含むガス雰囲気で1500°C以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/265 602A , H01L29/78 652C , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L21/265 Z , H01L29/78 658A

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-050928 出願人：住友電気工業株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-107350 出願人：ローム株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-006614 出願人：三菱電機株式会社

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