半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 京村順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-107350
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229708
出願日： 2013年05月21日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】SiC表面の荒れに起因する歩留まり低下を抑制しつつ、製造工程数の削減によるコスト低減および優れた信頼性を実現できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】SiC半導体層の表面に、選択的に不純物イオンを注入して不純物領域を形成する工程(S1)と、不純物領域の形成後、SiC半導体層の表面を絶縁膜で覆った状態で、SiC半導体層を1400°C以上の温度で熱処理することによって、不純物イオンを活性化させる工程(S2)とを含む、半導体装置の製造方法を実施する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiC半導体層の表面に、選択的に不純物イオンを注入して不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域の形成後、前記SiC半導体層の前記表面を絶縁膜で覆った状態で、前記SiC半導体層を1400°C以上の温度で熱処理することによって、前記不純物イオンを活性化させる工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/265 , H01L 21/329 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 27/04

FI (9件)：

H01L21/265 602A , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L21/265 Z , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F , H01L29/78 657A , H01L29/78 658H

Fターム (13件)：

4M104AA03 , 4M104CC03 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104FF02 , 4M104FF07 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-050928 出願人：住友電気工業株式会社
SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-237996 出願人：財団法人電力中央研究所
増大した少数キャリアライフタイムを有する炭化珪素結晶を製造するプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-548202 出願人：クリーインコーポレイテッド

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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