炭化ケイ素デバイスおよびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518033
公開番号（公開出願番号）：特表2008-503894
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

ハイブリッドチャネルを有するMOSFETチャネルデバイスおよびそのようなデバイスの作製方法が提供される。例示的デバイスには、炭化ケイ素のハイブリッド井戸領域、すなわち、エピタキシャルに形成された領域および注入された領域の両方を備える炭化ケイ素デバイスの井戸領域を備える縦型パワーMOSFETが含まれ、そのようなデバイスの作製方法が提供される。ハイブリッド井戸領域は、p型炭化ケイ素エピタキシャル層内の注入されたp型炭化ケイ素井戸部分、注入されたp型炭化ケイ素井戸部分に接しp型エピタキシャル層の表面まで延びる注入されたp型炭化ケイ素コンタクト部分、および/またはエピタキシャルp型炭化ケイ素部分を備え、エピタキシャルp型炭化ケイ素井戸部分の少なくとも一部がMOSFETのp型チャネル領域に対応する。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素MOSFETを作製する方法であって、ドリフト領域を有する炭化ケイ素基板の上にハイブリッドp型炭化ケイ素井戸領域を形成するステップであって、前記ハイブリッドp型炭化ケイ素井戸領域は、 p型炭化ケイ素エピタキシャル層内の注入されたp型炭化ケイ素井戸部分と、前記注入されたp型炭化ケイ素井戸部分と接し、前記p型エピタキシャル層の表面まで延びる、注入されたp型炭化ケイ素コンタクト部分と、エピタキシャルp型炭化ケイ素部分であって、前記エピタキシャルp型炭化ケイ素部分の少なくとも一部は、前記MOSFETのp型チャネル領域に対応するエピタキシャルp型炭化ケイ素部分とを備えるステップと、少なくとも部分的に前記ハイブリッドp型炭化ケイ素井戸領域内に、第1のn型炭化ケイ素領域を形成するステップと、前記p型チャネル領域に近接し、前記ドリフト領域まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域を形成して、n型チャネル領域を設けるステップと、前記第2のn型炭化ケイ素の上、および前記第1のn型炭化ケイ素領域の少なくとも一部の上にゲート誘電体を形成するステップと、前記ゲート誘電体の上にゲートコンタクトを形成するステップと、前記ハイブリッドp型炭化ケイ素井戸領域の前記コンタクト部分、および前記第1のn型炭化ケイ素領域の一部と接するように第1のコンタクトを形成するステップと、前記基板の上に第2のコンタクトを形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (4件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652F , H01L29/78 655A

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第5506421号明細書
米国特許第6107142号明細書
PCT国際出願第WO98/02916号明細書

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審査官引用 (11件)

炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036080 出願人：富士電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106589 出願人：富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-165686 出願人：株式会社デンソー

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