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J-GLOBAL ID：201802216158981615   整理番号：18A0633902

プラズマ支援反応性パルスDCスパッタリングによるC軸配向窒化アルミニウム薄膜の形成

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著者 (4件)： 竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  吉谷友希 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (阪大 接合研) ,  節原裕一 (阪大 接合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20a-C204-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  *薄膜成長 ,  優先配向 ,  半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： c軸配向 ,  *DCスパッタリング ,  プラズマスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  パルス ,  DCスパッタリング ,  c軸配向 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜