文献

J-GLOBAL ID：202302289617203463   整理番号：23A2924602

プラズマ支援反応性プロセスを用いた酸化物半導体薄膜形成

クリップ

著者 (3件)： 竹中弘祐 (大阪大 接合科研) ,  節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 真空ジャーナル  (Journal of Japan Vacuum Industry Association)
号： 186  ページ： 11-15  発行年： 2023年10月13日 
JST資料番号： L8030A  ISSN： 1883-1052  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・フラットパネルディスプレイの要求に応えるTFT(薄膜トランジスタ)技術のひとつに,アモルファス半導体(a-Si:M)TFTが候補となっていることについての解説。
・アモルファス半導体TFTのうち,注目されるa-IGZOについて,課題のひとつの低温成膜法として,プラズマ支援反応性スパッタリング法の研究状況の紹介。
・a-IGZO薄膜中の過度な酸素欠陥に起因する問題解決のための熱アニールに代えて,プラズマアニールを提案し,高品質化を得る目途を得たことについての解説。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *プラズマ応用 ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  酸化インジウム ,  プラズマCVD ,  スパッタリング ,  誘導結合プラズマ ,  フラットパネルディスプレイ ,  反応性スパッタリング ,  酸化物半導体 ,  薄膜形成 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  プラズマ照射

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (22件)：

• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
• T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mater. 11, 044305 (2010).
• H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
• Y. Setsuhara, T. Shoji, A. Ebe, S. Baba, N. Yamamoto, K. Takahashi, K. Ono, and S. Miyake, Surf. Coatings Technol. 174-175, 33 (2003).
• Y. Setsuhara, J. Plasma Fusion Res. 81, 85 (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  プロセス ,  酸化物半導体 ,  薄膜形成