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J-GLOBAL ID：201102287160940937   整理番号：11A0571792

高温プロセスに起因するMg-ドープGaNの化学および光ミネセンス特性の変化

Variation of Chemical and Photoluminescence Properties of Mg-Doped GaN Caused by High-Temperature Process

著者 (3件)： OGAWA Eri (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 2  ページ： 021002.1-021002.6  発行年： 2011年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温プロセスに起因する変化に特に集中して7×10¹⁷て2×10¹⁹cm^-3の密度にMgでドーピングしたGaNの化学特性と光ルミネセンス(PL)特性を評価した。熱プロセスの前に,軽くMg-ドープしたGaNでバンド-端放出がPLスペクトルを支配した。一方,バンド-端線の放出に似た高強度の3.2eVのルミネセンスを高度にMg-ドープしたGaNで観察した。軽くMg-ドープしたGaNで,900°Cの熱プロセスは1.5~2.5eVまでのエネルギー範囲においてブロードバンドの強度を強化した。X線光電子分光法と2次イオン質量分光によって,高温プロセスに起因するはっきりしたGa外部拡散も確かめ,これらの輝線が伝導帯と,Ga空格子(VGa + X)を含む複合欠陥と関連する深いレベル間の転移から始まることを示した 。高度にMg-ドープしたGaNで,支配的なPL線のピークエネルギーは1000°Cのプロセスの後,急に,3.2から2.8eVまで変わった。同時に,GaN表面の近くに,Mgのはっきりした表面偏析から起こるMg密度の非均一プロフィールを見いだした。このように 隙間のMgとGa空格子(MgI +VGa)を含む複合欠陥が高度Mg-ドープした高温プロセスしたGaNの2.8eVバンドの原因とおもわれる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  化学的性質 ,  熱処理 ,  X線光電子分光法 ,  二次イオン質量分析 ,  伝導バンド ,  空格子点

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (29件)：

• F. A. Reboredo and S. T. Pantelides: Phys. Rev. Lett.82(1999)1887.
• Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda: IEEE Trans. Electron Devices 54(2007)3393.
• W. Saito, T. Nitta, Y. Kakiuchi, Y. Saito, K. Tsuda, I. Omura, and M. Yamaguchi: IEEE Trans. Electron Devices 54(2007)1825.
• D. Visalli, M. Van Hove, J. Derluyn, S. Degroote, M. Leys, K. Cheng, M. Germain, and G. Borghs: Jpn. J. Appl. Phys.48(2009)04C101.
• M. Kanamura, T. Ohki, T. Kikkawa, K. Imanishi, T. Imada, A. Yamada, and N. Hara: IEEE Electron Device Lett.31(2010)189.

タイトルに関連する用語 (5件)： プロセス ,  起因 ,  ドープ ,  GaN ,  化学