特許
J-GLOBAL ID：201103061246977510

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
丹沢 徹

丹沢 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-212964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049312
特許番号：特許第3660503号
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の不揮発性半導体メモリセルと、これら複数のメモリセルに接続された複数のローカルワード線と、前記複数のメモリセルに接続された複数のローカルビット線と、前記複数のメモリセルに接続されたソース線とからなるメモリセルアレイブロックと、 前記ローカルワード線を選択する第1のローデコーダと、 前記ローカルビット線を選択する第1のカラムゲートと を有する複数のメモリコア部が行及び列に配置され、 グローバルワード線により前記各行に配置された複数の前記第1のローデコーダに接続される複数の第2のローデコーダと、 グローバルビット線により前記各列に配置された複数の前記第1のカラムゲートに接続される複数の第2のカラムゲートと、 前記複数の第2のカラムゲートに接続され、書き込みデータを前記第2のカラムデコーダに供給する書き込み回路と、 前記複数の第2のカラムゲートに接続され、前記第1、第2のカラムゲートを介して前記メモリセルから読み出されたデータを検出するセンスアンプと を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 633 A ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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