研究者

J-GLOBAL ID：200901040320057841 更新日: 2024年04月01日

遠田義晴

エンタヨシハル | Enta Yoshiharu

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： http://www.st.hirosaki-u.ac.jp/~enta

研究分野 (4件)：薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性 , 半導体、光物性、原子物理

競争的資金等の研究課題 (24件)：

2020 - 2024 将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究
2019 - 2022 外部電子エネルギー注入による埋もれた界面への量子ドット構造形成
2017 - 2020 半金属(金属)を媒介したIV族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用
2015 - 2018 真空熱分解法によるシリコンナノ構造形成と反応制御
2009 - 2011 リアルタイム観測によるナノオーダー極薄シリコン絶縁膜の形成機構

全件表示

論文 (60件)：

Yuya Sasaki, Hiroya Osanai, Yusuke Ohtani, Yuta Murono, Masayoshi Sato, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Hideki Nakazawa. Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Diamond and Related Materials. 2022. 108878-108878
K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa. Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Thin Solid Films. 2021. 736. 138923-138923
Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa. Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SI
Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, Takahiro Takami. Effects of temperature and pressure in oxynitridation kinetics on Si(100) with N2O gas. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2017. 70. 63-67
Hideki Nakazawa, Kohei Magara, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki. Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition. THIN SOLID FILMS. 2017. 636. 177-182

もっと見る

MISC (62件)：

西田竜也, 谷口颯, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 吹留博一, 中澤日出樹. マグネトロンスパッタ法により作製した炭化ホウ素膜特性に及ぼす水素の効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
谷口颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹. マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2020. 120. 217(CPM2020 11-21)
長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹. 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2019. 119. 271. 9-14
中澤日出樹, 中村和樹, 長内公哉, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希. ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2018. 118. 276. 99-104
中村和樹, 大橋遼, 横山大, 田島圭一郎, 遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 小林康之, 鈴木裕史, 中澤日出樹. Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2018. 118. 179. 1-6

もっと見る

学歴 (4件)：

- 1991 東北大学理学研究科物理学
- 1991 東北大学
- 1986 東北大学理学部物理学
- 1986 東北大学

学位 (1件)：

理学博士 (東北大学)

経歴 (2件)：

1991 - 1999 東北大学助手
1991 - 1999 Tohoku University, Research Associate

所属学会 (3件)：

放射光学会 , 応用物理学会 , 日本物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM