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文献
J-GLOBAL ID：200902114548381468   整理番号：02A0853612

1,3-ジシラブタンを用いたSi1-yCy薄膜の低温エピタキシャル成長

著者 (4件)：
八木修平

八木修平 について

(東京工大 大学院)

東京工大 大学院 について

, 
阿部克也

阿部克也 について

(東京工大 大学院)

東京工大 大学院 について

, 
山田明

山田明 について

(東京工大 量エレ研)

東京工大 量エレ研 について

, 
小長井誠

小長井誠 について

(東京工大 大学院)

東京工大 大学院 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 63rd  号： 1  ページ： 372  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ジシラン誘導体

ジシラン誘導体 について

,...
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
 半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
薄膜

薄膜 について

, 
低温

低温 について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


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