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J-GLOBAL ID：200902214639515330   整理番号：07A0376280

メタルマスク(MM)法によるInAs量子ドットの選択領域成長(II)~埋め込み層の段差低減~

著者 (12件)： 高田賀章 (筑波大) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  大河内俊介 (産業技術総合研) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構) ,  池田直樹 (筑波大) ,  池田直樹 (産業技術総合研) ,  北川嘉則 (筑波大) ,  渡辺慶規 (筑波大) ,  水谷彰夫 (筑波大) ,  浅川潔 (筑波大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 1  ページ： 344  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： メタルマスク ,  法 ,  InAs量子ドット ,  領域成長 ,  埋め込み層 ,  段差