文献
J-GLOBAL ID：200902243706251024
整理番号：06A0266087 シリコン結晶中へのδドーピング II:ビスマスとエルビウムの共ドーピング
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八木修平
(物質・材料研究機構 ナノマテ)
, 物質・材料研究機構 ナノマテ について
安原望
(東大 大学院)
, 坂本邦博
(産業技術総合研 エレ)
, 産業技術総合研 エレ について
深津晋
(東大 大学院)
, 深津晋
(JST-PRESTO)
, JST-PRESTO について
三木一司
(物質・材料研究機構 ナノマテ)
物質・材料研究機構 ナノマテ について
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 について
巻： 53rd 号： 1 ページ： 405 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素
,...
ケイ素 について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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原子細線
原子細線 について
分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜
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(BK14040E)
半導体薄膜 について
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン結晶
, シリコン結晶 について
δドーピング
, δドーピング について
ビスマス
, ビスマス について
エルビウム
, エルビウム について
共ドーピング
共ドーピング について
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