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J-GLOBAL ID：200902259257195657   整理番号：04A0692178

PhotoreflectanceによるMFIS構造の容量保持特性の非接触評価

著者 (5件)： 寒川雅之 (大阪大 院) ,  吉田真人 (大阪大 院) ,  金島岳 (大阪大 院) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  奥山雅則 (和歌山工高専)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 495  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： シリコン ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の光学的効果  (BM08040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： MFIS構造 ,  保持特性 ,  非接触 ,  評価