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J-GLOBAL ID：200902283187585043   整理番号：09A0420951

硫黄終端GaAs(001)-(2x6)面におけるX線表面散乱測定

著者 (11件)： 小西智也 (阿南工高専) ,  東條孝志 (阿南工高専) ,  西脇永敏 (阿南工高専) ,  木原義文 (阿南工高専) ,  森時秀司 (阿南工高専) ,  多田孝 (阿南工高専) ,  藤川誠司 (日本原子力研究開発機構) ,  高橋正光 (日本原子力研究開発機構) ,  BELL Gavin (英国ウォーリック大) ,  石井晃 (鳥取大 大学院工学研究科) ,  塚本史郎 (阿南工高専)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 447  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫黄 ,  *成端 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  X線散乱 ,  走査電子顕微鏡 ,  RHEED ,  担持触媒 ,  表面再構成 ,  放射光施設 ,  被覆率 ,  *表面構造 ,  *パラジウム触媒 ,  有機パラジウム化合物 ,  *構造

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  触媒の調製  (CB06110P)

物質索引 (1件)： 酢酸パラジウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  終端 ,  GaAs ,  X線 ,  表面散乱