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文献
J-GLOBAL ID：200902289057449995
整理番号：07A1007371 ナノジェットプローブ法により形成したInAs位置制御積層量子ドットからのPL発光
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大河内俊介
(産業技術総合研)
, 大河内俊介
(NEC ナノエレ研)
, NEC ナノエレ研 について
杉本喜正
(筑波大)
, 杉本喜正
(物質・材料研究機構)
, 物質・材料研究機構 について
尾崎信彦
(筑波大)
, 石川浩
(産業技術総合研)
, 浅川潔
(NEC ナノエレ研)
NEC ナノエレ研 について
資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
応用物理学会学術講演会講演予稿集 について
巻： 68th 号： 1 ページ： 333 発行年： 2007年09月04日
JST資料番号： Y0055A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*量子ドット
,...
量子ドット について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ナノジェットプローブ法
ナノジェットプローブ法 について
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体のルミネセンス
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(BM08092S)
, 半導体薄膜
半導体のルミネセンス について
(BK14040E)
半導体薄膜 について
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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InAs
, InAs について
位置制御
, 位置制御 について
量子ドット
, 量子ドット について
PL
PL について
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