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J-GLOBAL ID：200902289057449995   整理番号：07A1007371

ナノジェットプローブ法により形成したInAs位置制御積層量子ドットからのPL発光

著者 (7件)： 大河内俊介 (産業技術総合研) ,  大河内俊介 (NEC ナノエレ研) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  石川浩 (産業技術総合研) ,  浅川潔 (NEC ナノエレ研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 333  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： *ナノジェットプローブ法

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  位置制御 ,  量子ドット ,  PL