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J-GLOBAL ID:200902292612431615   整理番号:07A1007375

メタルマスク(MM)法によるInAs量子ドットの選択領域成長(III)~異なる場所に異なる吸収成長をもつQDの作製~

著者 (12件):
資料名:
巻: 68th  号:ページ: 334  発行年: 2007年09月04日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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