特許
J-GLOBAL ID：200903059586296558
半導体素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264732
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080400
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】半導体素子の表裏面間を接続する導電体層と絶縁層の形成性の向上や形成コストの削減等を図ると共に、導電体層の絶縁信頼性を高める。【解決手段】半導体素子1は、表裏面2a、2b間を接続する貫通孔4を有する半導体基板2を備えている。貫通孔4内および半導体基板2の表裏面2a、2bには多孔質絶縁樹脂層5が形成されている。多孔質絶縁樹脂層5内には、少なくとも半導体基板2の表裏面2a、2b間を接続する導電体層6が選択的に形成されている。導電体層6は半導体基板2の表裏面2a、2bおよび貫通孔4の内面と多孔質絶縁樹脂層5で絶縁されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表裏両面間を接続する貫通孔を有する半導体基板と、
前記貫通孔内に充填されると共に、前記半導体基板の表裏両面を覆うように形成された多孔質絶縁樹脂層と、
少なくとも前記半導体基板の表裏両面間を接続するように、前記多孔質絶縁樹脂層内に連続的に形成され、かつ前記半導体基板の表裏両面および前記貫通孔の内面とは前記多孔質絶縁樹脂層で絶縁された導電体層と
を具備することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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